第三代半导体器件的测试挑战
第三代半导体器件毫不夸张的讲为电源行业带来了革新,基于其高速,小体积,低功耗的特点,越来越广泛应用在消费电子及电力电子行业。下图显示了不同技术的功率器件的性能区别。可以看到,传统的Si基IGBT或者MOSFET管要么分布在高压低速的区间,要么分布在低压高速的区间,市面上传统的探测技术可以覆盖器件特性的测试需求。但是第三代半导体器件SiC 或GaN的技术却大大扩展了分布的区间,覆盖以往没有出现过的高压高速区域,这就对器件的测试工具提出非常严苛的挑战。
1GHz光隔离探头
更小的尺寸提升了DUT连接的便携性
行业领先的CMRR特性
完全光隔离技术
完整测试系统
比第一代探头体积缩小80%
IsoVu第二代探头的特点
更小的尺寸——TIVP系列探头的体积大约是第一代探头的五分之一,可以更简便地接入以前不可能接入的难达测量点。此外,原来单独的控制器盒已经精简,现在自含在探头的补偿盒内部。
更高的灵敏度——新探头更加灵敏,在+/- 50V测量时噪声更低,在宽带隙测量中具有更高的可见度和电压灵敏度。
更高的精度——新探头在许多方面增强了准确度,包括改善了DC准确度,在全部输入范围上加强了增益准确度,改善了温度漂移校正功能。这些增强功能可以更加深入地表征宽带隙设计特点,提高了能效。
更少的针尖更换——传感器头上的动态范围更广,与IsoVu Gen 1相比,相同的电压范围所需的针尖更少。这缩短了执行器件测试所需的时间,消除了更换探头时可能发生的错误,也降低了客户的成本。