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重磅!美国造出0.7nm芯片


众所周知,目前5nm及以下的尖端半导体制程必须要用到价格极其高昂的EUV光刻机,ASML是全球唯一的供应商。更为尖端2nm制程的则需要用到ASML新一代0.55 NA EUV光刻机,售价或高达4亿美元。

但是,要想实现1nm以下的更先进的制程,即便是ASML新一代0.55 NA EUV光刻机也束手无策。

当ASML的EUV光刻机还在为制造2nm、1nm芯片发愁的时候,美国一家公司却在另一个先进光刻方向上取得了突破,Zyvex使用电子束光刻技术制造了768皮米,也就是0.7nm的芯片,这种芯片可用于量子计算机。


旨在开发和商业化原子精密制造 (APM) 技术的公司Zyvex Labs,近日宣布推出了全球分辨率最高的亚纳米分辨率光刻系统“ZyvexLitho1”,其并没有采用EUV光刻技术,而是基于STM扫描隧道显微镜,使用的是电子束光刻(EBL)方式,可以制造出具有0.768nm线宽的芯片,精度远超EUV光刻机,相当于2个硅原子的宽度,是当前制造精度最高的光刻系统。


这个光刻机制造出来的芯片主要是用于量子计算机,可以制造出高精度的固态量子器件,以及纳米器件及材料,对量子计算机来说精度非常重要。

ZyvexLitho1不仅是精度最高的电子束光刻机,而且还是可以商用的。根据Zyvex Labs官网介绍,Zyvex公司已经可以接受其他人的订单,机器可以在6个月内出货。

据悉,ZvyvexLitho1将会有标准版和高级版两个不同版本,具体售价未知。

虽然EBL电子束光刻机的精度可以轻松超过EUV光刻机,然而这种技术的缺点也很明显,那就是产量很低,无法大规模制造芯片,只适合制作那些小批量的高精度芯片或者器件,指望它们取代EUV光刻机也不现实。



来源: 半导体行业圈








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