该型磁控溅射系统是一款多功能多靶磁控溅射系统，具有超高真空，单原子层沉积精度，设备维护简单的特点。MS-400系统标配6个2inch共焦超高真空阴极，满足实验室或企业实验室中工艺研究的需求，维护简单，运行稳定。

MS-300磁控溅射系统具有超高真空、单原子层沉积精度的特点，可以灵活选择阴极向上或向下溅射。设备标配3个2英寸超高真空阴极。满足实验室中科学研究的需求，维护简单，运行稳定。

生产型磁控溅射系统是针对生产企业实验室和产线研发的一系列高性能、高效率的磁控溅射装备。MSI-100型磁控溅射设备采用简单可靠的设计，满足简单材料的生产制备需求，具有稳定、可靠、成本低的特点。

生产型磁控溅射系统是针对生产企业实验室和产线研发的一系列高性能、高效率的磁控溅射装备。MSI-200型磁控溅射设备采用多个真空腔室互联的设计，通过Cluster内置的三维机械手实现晶圆的传输，可搭配多个溅射室或处理腔室，适用于生产产线或实验线。

脉冲激光沉积系列设备是高校和科研院所常用的氧化物和多组分薄膜沉积设备，该设备具有简单可靠、运行稳定的特点。PLD-400型脉冲激光沉积设备，标配6个1inch靶材，靶材可以原位更换，配合RHEED和准分子激光器可以实现高质量薄膜的沉积。

真空退火炉是改善薄膜质量的有效手段，在特殊气体氛围下加热还可以改善薄膜的组分。VF-200是致真设备公司推出的一款标准型退火炉，可与公司其他工艺腔体互联实现薄膜的原位退火，也可以单独使用。还可以选配磁铁模块实现对磁性薄膜的诱导，系统搭配控制软件，运行稳定可靠！

通过Cluster可以实现多个系统的互联；多个沉积系统共用进样室实现互联；互联沉积与表征调控系统，实现薄膜的真空沉积、调控与表征。

可以实现磁性材料和非磁性材料的高精度生长，靶面进气，可以调节溅射角度与距离；可根据需求设计多个阴极共焦，高效水冷，配备气动挡板、烟囱、降低起辉气压；兼容DC、RF、DC Pulse和HIPIMS电源；PLD靶台可安装6个1inch靶材，公自转设计。

超高真空样品台采用不同加热板实现真空加热：SIC、卤素灯等，可以在氧气氛围内加热；低温样品台可以实现8inch及以下晶圆的快速低温处理；我司亦可提供线性驱动、真空快开门、观察窗挡板、波纹管旋转磁耦等。