6月29日,据外媒最新报道,三星宣布,3nm制程技术已经正式流片!
据悉,三星的3nm制程采用的是GAA架构,性能上完胜台积电的3nm FinFET架构!根据三星的说法,与 5nm 制造工艺相比,3nm GAA 技术的逻辑面积效率提高了 35% 以上,功耗降低了 50%,性能提高了约 30%。
据报导,三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成的,目的在于加速为GAA 构的生产流程提供高度优化的参考方法。而因为三星的3 nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的 FinFET 的架构,而是采用 GAA 的结构。在此情况下,三星需要新的设计和认证工具,因此采用了新思科技的 Fusion Design Platform。
三星半导体设计技术团队副总裁 Sangyun Kim 表示,三星半导体是推动下一阶段产业创新的核心。所以,三星将藉由不断进行的技术制程发展,以满足专业和广泛市场应用不断增长的需求。如此,在三星电子最新的、先进的 3 nm GAA 结构制程技术上,受惠于与新思科技的广泛合作,在 Fusion Design Platform 加速准备,以有效达成 3 nm制程技术的承诺,证明了这些关键联盟的重要性和好处。
据了解,3 nm GAA 制程技术有两种架构分类,也就是 3GAAE 和 3GAAP。这是两款以奈米片的结构设计,在鳍中具有多个横向带状线。这种奈米片设计已被研究机构 IMEC 作为 FinFET 架构后续的产品进行了大量研究,并由 IBM 与三星和格罗方德合作进行了技术发展。
来源:半导体技术天地