鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）、北京琨腾科技有限公司以及有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。
公司核心业务是半导体材料、工艺和装备的研发设计、生产制造。
公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计和生产制造经验。
公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司已具有2500多平米洁净厂房，可开展半导体材料和组件的中试、生产，同时可进行半导体装备的生产和调试。
半导体材料事业部、半导体器件事业部、半导体装备事业部。
完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。典型用户：浙江大学光学仪器国家重点实验室。
采用磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积PECVD技术，设计制造了团簇式太阳能薄膜电池中试线。典型用户：中科院电工所。
采用热丝法，设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与生产。典型用户：中国科学院金属研究所。
设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。使用单位：武汉国家光电实验室。
设计制造了科研型的磁控溅射仪，典型用户：南方科技大学、哈尔滨工业大学、南京大学、浙江大学、南开大学、武汉理工大学。
设计制造了磁控溅射生产型设备，用于半导体器件的生产，典型用户：武汉光迅科技有限公司、深圳彩煌热电技术公司。
设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。典型用户：香港城市大学先进材料实验室、吉林奥来德光电材料股份有限公司。
设计制造了电子束镀膜机。典型用户：武汉理工大学、南方科技大学、中国计量大学。
设计制造了高真空电阻热蒸发镀膜机、高真空电极制备镀膜机。典型用户：苏州大学、北京大学。
物理气相沉积（PVD）系列
磁控溅射、电子束、热蒸发镀膜机，激光沉积设备PLD
化学气相沉积（CVD）系列
MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等离子体CVD、热丝CVD、原子层沉积设备ALD
超高真空系列
分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）
成套设备
团簇式太阳能薄膜电池中试线、OLED中试设备（G1、G2.5）
其他
金刚石薄膜制备设备、合金退火炉、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备
真空镀膜机专用电源/真空镀膜机控制系统及软件
直流溅射电源、RF射频溅射电源、高精度热蒸发电源、高能直流脉冲电源（中频可调脉宽）
控制系统及软件
团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累：
2001年 与南昌大学合作
设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。
2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作
设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。
2006年 与中国科技大学合作
设计设计超高温CVD 和MBE。
用于4H晶型SiC外延生长。
2007年 与兰州大学物理学院合作
设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。
2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作
制造了金刚石外延设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。
2017年
-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。
-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。
2019年
设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。
材料的输运采取了超纯的气路系统，源的切换和输入采用了多路组合阀进气技术。由于组合阀具有极小的死空间，使得源的残留量非常少，有利于生长具有陡峭界面的材料。
采用压差控制技术控制组合阀的旁路和主路之间的压力，大大降低了源的压力和浓度波动，有利于材料生长的重复性和稳定性。
采用了管道镶嵌式进气喷头，使反应源在衬底表面均匀混合并反应，大大降低了预反应的发生。
采用电阻式快速升降温加热炉。
简介：
PECVD设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。
设备用途和功能特点：
1.该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。
2.设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。
3.配置尾气处理装置。
设备安全性设计：
1.电力系统的检测与保护
2.设置真空检测与报警保护功能
3.温度检测与报警保护
4.冷却循环水系统的压力检测和流量检测
5.与报警保护
产品简介：
该设备可以在某些衬底材料上实现外延生长工艺，实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。
分子束外延薄膜生长设备在薄膜外延生长时具有超高的真空环境，是在理想的环境下进行薄膜外延生长，它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素，得到理想的高精度薄膜。
我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备，分实验型和生产型两种，配置合理，结构简单，操作方便，技术先进，性能可靠，用途多，实用性强，价格相对较低，可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。
▲实验型-分子束外延薄膜生长设备（MBE）
▲生产型-分子束外延薄膜生长设备（MBE）
简介：
高真空磁控溅射仪是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。
设备关键技术特点:
秉承设备为工艺实现提供装备设计理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精准的工艺设备方案。
距离可调:
基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。
角度可调:
磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精准调控。
简介：
高真空电子束蒸发镀膜机是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。
可用于生产、科学实验及教学，可根据用户要求专门订制。
可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。
▲实验型 热丝CVD金刚石设备
简介：
研发设计制造了热丝CVD金刚石设备，分为实验型设备和生产型设备两类。
设备主要用于微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜、硬质合金基金刚石涂层刀具、陶瓷轴承内孔镀金刚石薄膜等。例如可用于生产制造环保领域污水处理用的耐腐蚀金刚石导电电极。
可用于平面工件的金刚石薄膜制备，也可用于刀具表面或其它不规则表面的金刚石硬质涂层制备。
▲单面热丝CVD 金刚石设备
▲双面热丝CVD 金刚石设备
▲生产型 热丝CVD金刚石设备
可制备金刚石面积-长1200mm*宽650mm 可制备金刚石面积-φ650mm
本司将参加2022年4月26-28日在重庆国际博览中心举办的第四届全球半导体产业（重庆）博览会，此次展会以“集智创芯、共塑未来”为主题，展示面积达25000㎡，参展企业预计达350家，全球半导体、集成电路、芯片及研发设计等企业参展，集中展示新产品、新技术，邀请18000名专业观众参观，同期还将举办“第四届未来半导体产业发展大会”论坛活动，组委会将尽全力打造最专业的上下游交流合作平台。
鹏城半导体技术（深圳）有限公司诚邀您参加本次展会，届时共同分享半导体产业创新产品、技术及解决方案，充分彰显企业高端品牌形象！
