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展商推荐 | 重庆平创半导体研究院有限责任公司邀您参加第四届全球半导体产业(重庆)博览会



企业简介


重庆平创半导体研究院有限责任公司于2019年11月成立于重庆市璧山区国家级高新区,是一家主要专注于第三代半导体碳化硅电力电子器件及创新解决方案的高新技术企业,也是目前国内第一家能为新能源汽车充电场景提供第三代半导体碳化硅端到端(全碳化硅芯片/器件/模块系列、全场景、全云化)成熟产品的引领型企业。公司与重庆大学、桂林电子科技大学设有联合研发中心。 



平创半导体主要产品为650V-3300V 碳化硅二极管和1200V/1700V碳化硅MOSFET、硅二极管,1200V/1700V IGBT、FRD系列,实现了国产化进口替代。与此同时,为了便于解决客户在SiC-MOSFET模块和IGBT模块的应用需求,公司还开发了一系列基于全国产元器件的功率模块驱动器产品。相关产品已被成功应用于特殊车辆、新能源汽车快充、AC-DC电源、光伏等领域。为满足国家新基建和新能源汽车对充电桩产品的迫切需求,公司基于自主研发的碳化硅芯片开发出了全碳化硅直流快充技术,并能为不同客户使用和运营需求提供全充电产品系列、全场景、全云化的端到端解决方案和成熟商用产品。 



目前已成功批量供货IGBT/MOSFET/电源模块、SBD定制化封装产品、交直流(SiC)充电桩等,并建设充电场站,为国内重点客户彻底解决了芯片卡脖子的痛点问题。


人才是引领发展的第一动力,平创半导体通过完善的合伙人/股权/期权激励机制、一流的工作环境,全球视野的创新创业平台、国际化的管理和优秀的企业文化吸引各类高层次人才,建立了一支知识密集、高度敬业、技术力量雄厚,且极具开拓意识、创业激情、创新能力与团结合作精神的国际化人才队伍。公司目前拥有100多位员工,研发团队均为本科及以上学历,其中60%为博士、硕士。公司主要技术骨干主要来自荷兰代尔夫特理工大学、德国德累斯顿工业大学、美国北卡罗来纳州立大学、北京理工大学、重庆大学、中国矿业大学、桂林电子科技大学等高校的博士或硕士,并与重庆大学、桂林电子科技大学等高校建立了紧密的产学研合作联盟。



平创半导体建立了国际先进的功率芯片/模块设计研发平台,通过长期战略协议拥有6吋碳化硅晶圆稳定代工平台,自建先进封装研发与中试基地,建立了完备的产品可靠性实验室和工况模拟实验室等,可实现产品的性能和静动态测试、工况模拟测试等;为配合客户不同应用场景的软件需求,公司还建立起了一支知识密集、专业素质过硬的软件开发团队。



平创半导体始终坚持“以客户为中心”的企业文化,为更好的服务每一位客户和为客户创造持续的价值,公司建立了ISO9001标准质量管理体系、ISO14001环境管理体系、ISO45001职业健康安全体系,对产品设计、研发、生产、检测、销售、服务整个流程进行全面的质量管控。为适应信息化发展需求,公司对进、销、存、生产、财务、设备等进行全面的系统性的信息化管理,为企业决策层及员工提供决策运行手段,确保生产的顺利进行和产品的可追踪性。 



平创半导体坚持以实干兴邦、产业报国和科教兴国为己任,以公司的发展为所在社区作出贡献,紧紧围绕在功率半导体技术领域发展,在独立自主的基础上,广泛吸收全球半导体领域的最新研究成果,坚持开放式创新来发展世界领先的核心技术体系,用我们卓越的产品、先进的技术和全方位服务,树立为客户提供一揽子解决问题的设想,使平创成长为“卓越的功率半导体领军企业”。




产品介绍


01
碳化硅二极管 SiC SBD


●技术参数

电压等级 650V-3300V

电流等级 2A-40A

封装:TO-252 TO-263 TO-220-2 TO-247-2 TO-247-3

●产品简介

650V~3300V电压级别全电流范围的SiC肖特基二极管,各项性能达到国际水平,开始在国内批量供应。

●产品特点

正温度系数,易于并行使用;不受温度影响的开关特性;最高工作温度 175℃;

●产品应用

太阳能逆变器、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)、感应加热不间断电源(UPS)、电机驱动、列车牵引系统等。


02
碳化硅场效应管 SiC MOSFET


●技术参数

电压等级 650V-1700V

内阻等级 20mΩ-280mΩ

封装:TO-252 TO-263 TO-263-7 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-4

●产品简介

成功开发650V-1700V 电压平台下SiC MOS系列产品,各项性能达到国际水平,并已开始批量供应。

●产品特点

高阻断电压,超低导通电阻,低电容高速切换,开关损耗受温度影响小,具有极低反向恢复电荷的内部续流二极管,最优的开关损耗和导通损耗。

●产品应用

新能源汽车逆变器、光伏逆变器、数据中心和通讯电源、蓄电池叉车、UPS、工业开关电源、LED照明电源等领域。



03
碳化硅模块 SiC MOSFET Module



PCsemic SiC Mosfet Module
●技术参数

电压等级:650V-1700V

内阻等级:3mΩ-50mΩ

封装:定制化模块封装

●产品简介

平创碳化硅功率模块是在芯片产品的基础上,根据客户需求,多芯片组合集成的功能性组件,具有十分丰富的种类变化,可以集成化地贴近客户需求,解决客户难题,开发多款定制化产品。

●重点产品

目前我司开发的功率模块产品系列,应用于低速电动车、逆变器,工业变频器、电源等领域,包括多个规格型号。


04

碳化硅驱动 SiC Driver Module



  • 定制化设计

  • 支持600V、1200V及1700V全系列IGBT 

  • 集成 DC/DC 隔离电源

  • 监测 VCEsat 提供短路 (过流) 保护

  • 隔离电压高达5kV@1分钟50Hz交流

  • 故障记忆、故障“软关断”、故障同步

  • 有源钳位功能 

  • 欠压保护功能(<12.5V 保护) 


05

IGBT Module



  • 电压等级 650V-1700V

  • 电流等级 100A-1400A

  • 封装 定制化模块封装


06

IGBT Driver Module


  • 定制化设计

  • 支持600V、1200V及1700V全系列IGBT 

  • 集成 DC/DC 隔离电源

  • 监测 VCEsat 提供短路 (过流) 保护

  • 隔离电压高达5kV@1分钟50Hz交流

  • 故障记忆、故障“软关断”、故障同步

  • 有源钳位功能 

  • 欠压保护功能(<12.5V 保护) 


07

晶体管 PNP/NPN



  • 电压等级 50-100V

  • 电流等级 0.1A-1A

  • 封装 SOT23


08

晶稳压管/二极管



  • 二极管电压等级 50-100V

  • 电流等级 0.1A-1A

  • 封装 SOT323

  • 稳压管稳压 5-25V

  • 封装 SOD323


  诚挚邀请  

本司将参加2022年4月26-28日在重庆国际博览中心举办的第四届全球半导体产业(重庆)博览会,此次展会以“集智创芯、共塑未来”为主题,展示面积达25000㎡,参展企业预计达350家,全球半导体、集成电路、芯片及研发设计等企业参展,集中展示新产品、新技术,邀请18000名专业观众参观,同期还将举办“第四届未来半导体产业发展大会”论坛活动,组委会将尽全力打造最专业的上下游交流合作平台。


重庆平创半导体研究院有限责任公司诚邀您参加本次展会,届时共同分享半导体产业创新产品、技术及解决方案,充分彰显企业高端品牌形象!


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